多功能光催化反應儀CY-GHX-D原理的詳細資料：
多功能光催化反應儀CY-GHX-D原理
川一系列光化學反應儀主要用于研究氣相或液相介質(zhì)、固定或流動體系、紫外光或模擬可見光照、以及反應容器是否負載TiO2光催化劑等條件下的光化學反應。具有提供分析反應產(chǎn)物和自由基的樣品，測定反應動力學常數(shù)，測定量子產(chǎn)率等功能，廣泛應用化學合成、環(huán)境保護以及生命科學等研究領域。
主要特征:
1. 光化學反應儀采用智能微電腦控制，可觀察電流和電壓實時變化
2.進口光源控制器，內(nèi)置光源轉(zhuǎn)換器，功率連續(xù)可調(diào)，穩(wěn)定性高
3.具有分步定時功能，操作簡便 4.反應暗箱內(nèi)壁使用防輻射材料，且?guī)в杏^察窗
5.采用內(nèi)照式光源，受光充分，燈源采用耐高壓防震材質(zhì)，經(jīng)久耐用
6.配有8（6/12可選）位磁力攪拌裝置或大功率磁力攪拌裝置，使樣品充分混勻受光
7.光化學反應儀雙層耐高低溫石英冷阱，可通入冷卻水循環(huán)維持反應溫度
8 光化學反應儀高溫度保護系統(tǒng)，自動斷電功能
9.機箱外部結(jié)構(gòu)設有循環(huán)水進出口，內(nèi)部設有2個插座，供燈源和攪拌反應器用
多功能光催化反應儀CY-GHX-D原理
技術(shù)參數(shù):
型號 | CY-GHX-A | CY-GHX-AC | CY-GHX-B | CY-GHX-BC | CY-GHX-D | CY-GHX-DC |
主體部分(含暗箱) | 光源功率可連續(xù)調(diào)節(jié)大小；集成式光源控制器，可供汞燈、氙燈、金鹵燈等多種光源使用 汞燈功率調(diào)節(jié)范圍：0~1000W可連續(xù)調(diào)節(jié)； 氙燈功率調(diào)節(jié)范圍：0~1000W可連續(xù)調(diào)節(jié)； 金鹵燈功率調(diào)節(jié)范圍：0~500W可連續(xù)調(diào)節(jié)。 | |||||
小容量反應部分 | 石英試管規(guī)格：30ml、50ml（或定做）； | / | 石英試管規(guī)格：30ml、50ml（或定做） | |||
可同時處理8個樣品（或定做） | 可同時處理8個樣品（或定做） | |||||
八位磁力攪拌裝置可同步調(diào)節(jié)8個樣品的攪拌速度（或定做） | 八位磁力攪拌裝置可同步調(diào)節(jié)8個樣品的攪拌速度（或定做） | |||||
大容量反應部分 | / | 玻璃反應器皿可以分別選用250ml、500ml、1000ml等（或定做）。 | 玻璃反應器皿可以分別選用250ml、500ml、1000ml等（或定做）。 | |||
大功率強力磁力攪拌器使樣品充分混勻受光。 | 大功率強力磁力攪拌器使樣品充分混勻受光。 | |||||
控溫裝置 | / | 配備雙層石英冷阱 | / | 配備雙層石英冷阱 | / | 配備雙層石英冷阱 |
冷卻水循環(huán)裝置制冷量：＞1000W | 冷卻水循環(huán)裝置制冷量：＞1000W | 冷卻水循環(huán)裝置制冷量：＞1000W | ||||
控溫范圍：-5°C到100°C（或按照用戶要求） | 控溫范圍：-5°C到100°C（或按照用戶要求） | 控溫范圍：-5°C到100°C（或按照用戶要求） | ||||
冷卻水循環(huán)裝置設有腳輪和底部排液閥
| 冷卻水循環(huán)裝置設有腳輪和底部排液閥
| 冷卻水循環(huán)裝置設有腳輪和底部排液閥
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光化學反應裝置，主要用于研究氣相、液相固相、流動體系在模擬紫外光、模擬可見光、特種模擬光照射下，是否負載TiO2光催化劑等條件下的光化學反應。同時我公司為客戶提供纖維狀、排列狀物質(zhì)特殊反應容器，解決不通物質(zhì)在常規(guī)反應容器內(nèi)的放置問題。多功能光化學反應儀適合應用于化學合成、環(huán)境保護及生命科學等研究領域，該系統(tǒng)具有技術(shù)合理、結(jié)構(gòu)簡單、操作便捷、運行穩(wěn)定、保護人體、自由組合、靈活定做等*優(yōu)勢！
結(jié)構(gòu)
精密光化學反應器是開發(fā)新一代化學反應裝置，主要適用于液相固相，模擬可見光，特種模擬照射下是否負載，在催化劑等條件下的光化學反應，化學合成，環(huán)境環(huán)保護及生命科學研究領域。
該系統(tǒng)具有技術(shù)合理，結(jié)構(gòu)簡單，操作便捷，采用全觸摸式開關，打開電源總開關，即可選擇不同光源。(照明，302nm,254nm,365nm)，運行穩(wěn)定，保護人體等優(yōu)勢。
光催化凈化技術(shù)主要是利用光催化劑二氧化欽(T'02)吸收外界輻射的光能，使其直接轉(zhuǎn)變?yōu)榛瘜W能。當能量大于Ti02禁帶寬度的光照射半導體時，光激發(fā)電子躍遷到導帶，形成導帶電子(e-)，同時在價帶留下空穴階(h+)。由于半導體能帶的不連續(xù)性，電子和空穴的壽命較長，它們能夠在電場作用下或通過擴散的方式運動，與吸附在半導體催化劑粒子表面上的物質(zhì)發(fā)生氧化還原反應，或者被表面晶格缺陷俘獲。空穴和電子在催化劑粒子內(nèi)部或表面也能直接復合，空穴能夠同吸附在催化劑粒子表面的月口一或HZO發(fā)生作用生成經(jīng)基自由基HO " , HO.是一種活性很高的粒子，能夠無選擇的氧化多種有機物并使之礦化。
由于光催化還屬于一種新興的技術(shù)，有很多因素還需要額外考慮，諸如納米光催化劑的制備技術(shù)、納米光催化劑的高活性和高壽命技術(shù)、納米光催化劑的固載化技術(shù)和納米光催化劑反應的設計技術(shù)，這些因素的實現(xiàn)勢必會使得凈化器價格攀升，從而影響推廣。然而該技術(shù)zui大的不足在于，從利用太陽光效率的角度看，半導體的光吸收波長范圍狹窄，主要在紫外區(qū)，利用太陽光的比例低;光生載流子的復合率很高，導致量子效率較低。
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